半導體材料（Semiconductor Material）是一種介于導體和絕緣體之間的材料。它具有較高的電阻率，但在特定條件下可以成為良好的導體。半導體材料在電子學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域中具有重要作用，例如用于制造晶體管、光電二極管、太陽(yáng)能電池等電子器件。常見(jiàn)的半導體材料包括硅、鍺、砷化鎵、砷化銦等。半導體材料是支撐半導體工業(yè)的基石，其發(fā)展對半導體技術(shù)的進(jìn)步具有深遠的影響。

       主要包括鍺、硅、硒、硼、碲、銻等，其中硅和鍺的應用最為廣泛。上個(gè)世紀五十年代，鍺在半導體領(lǐng)域占據主導地位，然而，由于其耐高溫和抗輻射性能較差，逐漸在六十年代后期被硅材料所取代。硅制造的半導體器件具有較好的耐高溫和抗輻射性能，特別適用于大功率器件的制作。因此，硅已成為應用最為廣泛的半導體材料，目前的集成電路大多采用硅材料制造。

元素半導體

硅 7440-21-3	硒 67782-49-2	鍺 7440-56-4

       化合物半導體及其固溶體分為二元系（兩種元素組成）、三元系（三種元素組成）、多元系（多種元素組成）半導體材料。

III-V族化合物半導體：這類(lèi)半導體由III族元素（如鎵、鋁、銦等）和V族元素（如砷、磷、氮等）組成，如氮化鎵（GaN）、磷化鋁（AlP）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、砷化鎵磷（GaAsP）、磷化銦鎵（InGaP）等，在光電子學(xué)、微波器件、太陽(yáng)能電池和集成電路等領(lǐng)域都發(fā)揮著(zhù)重要作用。

III-V族化合物半導體

砷化鎵 1303-00-0	磷化銦 22398-80-7	氮化鎵 25617-97-4

II-VI族化合物半導體：這類(lèi)半導體由II族元素（如鎘、鋅、鎵等）和VI族元素（如硫、硒、氧等）組成，如氧化鋅（ZnO）、硫化鎘（CdS）、硫化鋅（ZnS）、硒化鋅（ZnSe）、硒化鎘（CdSe）等，在光電子學(xué)、太陽(yáng)能電池、激光器和顯示技術(shù)等領(lǐng)域都發(fā)揮著(zhù)重要作用。

III-V族化合物半導體

氧化鋅 1314-13-2	硫化鎘 1306-23-6	硫化鋅 1314-98-3

IV-IV族化合物半導體：這類(lèi)半導體由IV族元素（如硅、鍺等）組成，如碳化硅（SiC）、鍺化硅（GeSi）等，在太陽(yáng)能電池、高溫電子器件、射頻功率器件和光電子器件等領(lǐng)域都發(fā)揮著(zhù)重要作用。

金屬氧化物半導體：這類(lèi)半導體由金屬和氧元素組成，如氧化鋅（ZnO）、氧化銦銻（IAO）、氧化銦錫（ITO）等，在電子器件、光電子器件、傳感器和儲能設備等領(lǐng)域都發(fā)揮著(zhù)重要作用。

IV-IV族化合物半導體&金屬氧化物半導體

碳化硅 409-21-2	氧化銦錫 50926-11-9	氧化亞銅 1317-39-0

       有機半導體具有成本低、易加工、易調節、柔性好等特點(diǎn)，在有機發(fā)光二極管（OLED）、有機太陽(yáng)能電池、柔性顯示器、柔性傳感器等領(lǐng)域得到了廣泛的應用，可以為電子學(xué)、光電子學(xué)、磁學(xué)和光學(xué)等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支撐，因此被認為是目前最具前景的半導體材料之一。目前可分為三種類(lèi)型：有機物、聚合物和給體受體絡(luò )合物，包括萘、蒽、酞菁、聚丙烯、聚苯乙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò )合物等 。

有機半導體材料

酞菁 183872-57-3	聚丙烯 9003-07-0	聚苯乙烯 9003-53-6

政策+行業(yè)雙重利好，推動(dòng)半導體材料國產(chǎn)化

自21世紀初的《極大規模集成電路制造裝備及成套工藝》項目（即“02專(zhuān)項”）到“十二五”規劃、“十三五”規劃及各類(lèi)政策文件，政府部門(mén)對半導體行業(yè)的重視度、支持力度，以及對相關(guān)企業(yè)的支持力度逐年增強。通過(guò)政策、科研專(zhuān)項基金、產(chǎn)業(yè)基金等多種形式，政府為相關(guān)企業(yè)提供支持。在2020年10月發(fā)布的《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和2035年遠景目標綱要》中更是提出了“強化國家戰略科技力量”的方針，重點(diǎn)強調要從“卡脖子”問(wèn)題清單和國家重大需求中找出科學(xué)難題。

集成電路產(chǎn)業(yè)一直是我國的一個(gè)發(fā)展瓶頸，我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的許多材料、設備、和工藝制造技術(shù)與全球領(lǐng)先水平之間存在著(zhù)顯著(zhù)差距。在一些領(lǐng)域，我們明顯處于“受制于人”的境地。突破這些技術(shù)壁壘和瓶頸問(wèn)題將是踐行“強化國家戰略科技力量”方針的重點(diǎn)之一。

隨著(zhù)中國大陸晶圓代工產(chǎn)能的提升，尤其是成熟制程產(chǎn)能的快速增長(cháng)，中國大陸對中低端半導體材料的市場(chǎng)需求也將隨之上升。這不僅減輕了相關(guān)企業(yè)對頂尖材料研發(fā)的壓力，還為它們提供了將產(chǎn)品引入晶圓廠(chǎng)商的絕佳機會(huì )。一旦中國大陸半導體材料企業(yè)成功將現有產(chǎn)品引入市場(chǎng)并獲得穩定持續的訂單后，便可以進(jìn)入業(yè)務(wù)發(fā)展的良性循環(huán)中。有了可觀(guān)的持續現金流，它們才有足夠的資金投入更高端產(chǎn)品的研發(fā)，并有望依靠自主研發(fā)能力突破尖端技術(shù)障礙。此外，部分企業(yè)已開(kāi)始在先進(jìn)制程所需的高尖端半導體材料市場(chǎng)，比如ArF光刻膠和高端電子特氣領(lǐng)域，進(jìn)行布局，相關(guān)半導體材料產(chǎn)品已逐步滲透至高端領(lǐng)域。

根據SEMI統計，2022年中國臺灣和中國大陸合計占據了超過(guò)45%的半導體材料市場(chǎng)，占比分別約為27.7%和17.8%。根據中商產(chǎn)業(yè)研究院數據及測算，預計到2023年，中國大陸半導體材料市場(chǎng)規模將達到1024億元，相對應2017-2023年的復合年增長(cháng)率約為11.8%，顯著(zhù)高于全球半導體材料市場(chǎng)的年均增速。然而，根據實(shí)際產(chǎn)品結構的需求來(lái)看，盡管中國大陸目前半導體材料市場(chǎng)規模居全球第二且增速較高，但由于晶圓代工技術(shù)能力的限制，整體半導體材料產(chǎn)品需求仍集中于中低端。同時(shí)，從供給方面來(lái)看，盡管我國部分中低端半導體材料的自足能力逐步提升，但在高端半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售方面仍存在較大不足。

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院預測